plen

Witamy na stronie projektu sicmat

Celem bezpośrednim proponowanego projektu jest opracowanie technologii wytwarzania monokrystalicznych podłoży z węglika krzemu (SiC) oraz technologii epitaksji cienkich warstw azotku galu (GaN) oraz grafenu na wspomnianych podłożach. Skutkiem opracowanych technologii będzie otrzymanie materiału stanowiącego bazę do wytwarzania urządzeń elektronicznych o lepszych i stabilniejszych właściwościach.

Osiągnięcie tak postawionego celu planuje się poprzez zastosowanie najnowszych technik projektowania z wykorzystaniem najwyższej klasy urządzeń do wytwarzania, charakteryzacji i modelowania materiałów półprzewodnikowych.

Instytucja wdrażająca

Nazwa:
Ośrodek Przetwarzania Informacji
Adres:
al. Niepodległości 188 b, 00-608 Warszawa
Telefon:
+48 22 570 14 00
Faks:
+48 22 825 33 19
E-mail:
opi@opi.org.pl
Numer KRS:
0000127372, Sąd Rejonowy dla m. st. Warszawy w Warszawie
XII Wydział Gospodarczy KRS;
REGON:
006746090
NIP:
525-000-91-40

Uczestnicy projektu

Wnioskodawca

Nazwa:
Politechnika Warszawska
Adres:
00-661 Warszawa,
Plac Politechniki 1
Telefon:
+48 22 234 74 24
Faks:
+48 22 234 71 40

Podmioty współpracujace

Nazwa:
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Adres:
01-919 Warszawa,
ul. Wółczyńska 133
Telefon:
+48 22 835 30 41
Faks:
+48 22 864 54 96
Nazwa:
Uniwersytet Warszawski
Adres:
00-927 Warszawa,
ul. Krakowskie Przedmieście 26/28
Telefon:
+48 22 55 20 355
Faks:
+48 22 55 24 000

Kontakt

Kierownik projektu

Imię i nazwisko:
dr inż. Tomasz Wejrzanowski
Wydział Inżynierii Materiałowej
Adres:
ul. Wołoska 141, 02-507 Warszawa
pok. 309
Telefon:
+48 22 234 87 42
E-mail:
twejrzan@inmat.pw.edu.pl

Organizacja i administracja projektu

Imię i nazwisko:
mgr Sylwia Bałos
Telefon:
+48 22 234 87 46
E-mail:
sbalos@inmat.pw.edu.pl