plen

Witamy na stronie projektu sicmat

Celem bezpośrednim proponowanego projektu jest opracowanie technologii wytwarzania monokrystalicznych podłoży z węglika krzemu (SiC) oraz technologii epitaksji cienkich warstw azotku galu (GaN) oraz grafenu na wspomnianych podłożach. Skutkiem opracowanych technologii będzie otrzymanie materiału stanowiącego bazę do wytwarzania urządzeń elektronicznych o lepszych i stabilniejszych właściwościach.

Osiągnięcie tak postawionego celu planuje się poprzez zastosowanie najnowszych technik projektowania z wykorzystaniem najwyższej klasy urządzeń do wytwarzania, charakteryzacji i modelowania materiałów półprzewodnikowych.

Instytucja wdrażająca

Nazwa:
Ośrodek Przetwarzania Informacji
Adres:
al. Niepodległości 188 b, 00-608 Warszawa
Telefon:
+48 22 570 14 00
Faks:
+48 22 825 33 19
E-mail:
opi@opi.org.pl
Numer KRS:
0000127372, Sąd Rejonowy dla m. st. Warszawy w Warszawie
XII Wydział Gospodarczy KRS;
REGON:
006746090
NIP:
525-000-91-40

Uczestnicy projektu

Wnioskodawca

Nazwa:
Politechnika Warszawska
Adres:
00-661 Warszawa,
Plac Politechniki 1
Telefon:
+48 22 234 74 24
Faks:
+48 22 234 71 40

Podmioty współpracujace

Nazwa:
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Adres:
01-919 Warszawa,
ul. Wółczyńska 133
Telefon:
+48 22 835 30 41
Faks:
+48 22 864 54 96
Nazwa:
Uniwersytet Warszawski
Adres:
00-927 Warszawa,
ul. Krakowskie Przedmieście 26/28
Telefon:
+48 22 55 20 355
Faks:
+48 22 55 24 000

Kontakt

Kierownik projektu

Imię i nazwisko:
dr inż. Tomasz Wejrzanowski
Wydział Inżynierii Materiałowej
Adres:
ul. Wołoska 141, 02-507 Warszawa
pok. 309
Telefon:
+48 22 234 87 42
E-mail:
twejrzan@inmat.pw.edu.pl

Organizacja i administracja projektu

Imię i nazwisko:
mgr Sylwia Bałos
Telefon:
+48 22 234 87 46
E-mail:
sbalos@inmat.pw.edu.pl

Konferencje i publikacje

Konferencje

Artykuły w czasopismach

  • M. Wierzbowska, A. Dominiak, G. Pizzi. Effect of C-face 4H-SiC(0001) deposition on thermopower of single and multilayer graphene in AA, AB and ABC stacking. 2D Materials 1 (2014) 035002 DOI:10.1088/2053-1583/1/3/035002
  • M. Wierzbowska, A. Dominiak. Spin-dependent Seebeck effect and huge growth of thermoelectric parameters at band edges in H- and F-doped graphene, free-standing and deposited on 4H-SiC(0001) C-face. CARBON 80 (2014) 255–267 DOI: 10.1016/j.carbon.2014.08.064
  • S.Krukowski, J.Sołtys, J.Piechota, J.Borysiuk. Nanopipes creation mechanisms in silicon carbide - density functional study. wysłane do J.Cryst. Growth (2014)
  • J.Sołtys, J.Piechota, M.Ptasińska, S.Krukowski. Hydrogen intercalation of single and multiple layer graphene synthesized on Si-terminated SiC(0001) surface. wysłane do J.Appl.Phys (2014)
  • S.Krukowski, J.Soltys, J.Borysiuk, J.Piechota. Influence of a parallel electric field on the dispersion relation of graphene - a new route to Dirac logics. zaakceptowane przez J.Cryst. Growth Ms. Ref. No.: CRYS-D-13-01155 (2013).
  • J.Borysiuk, J.Sołtys, J.Piechota, S.Krukowski, J.M.Baranowski, R.Stępniewski. Structural defects in epitaxial graphene layers synthesized on C-terminated 4H-SiC (0001) surface - transmission electron microscopy and density functional theory studies. J.Appl.Phys. 115, 054310 (2014).
  • M. Wierzbowska, A. Dominiak, K. Tokar. CVD formation of graphene on SiC surface in argon atmosphere. Phys. Chem. Chem. Phys., 2013,15, 8805-8810
  • K. Z. Milowska, M. Woińska, M. Wierzbowska. Contrasting Elastic Properties of Heavily B- and N-doped Graphene with Random Impurity Distributions Including Aggregates. J. Phys. Chem. C, 2013, 117 (39), pp 20229–20235
  • E. Wachowicz, A. Kiejna. Structure and energetics changes during hydrogenation of 4H-SiC surfaces: a DFT study. J. Phys.: Condens. Matter 24 (2012) 385801.
  • J. Sołtys, J. Borysiuk, J. Piechota, S. Krukowski. "Experimental and theoretical investigation of graphene layers on SiC(0001) in different stacking arrangements". Journal of Vacuum Science and Technology B
  • J. Borysiuk, J. Sołtys, R. Bożek, J. Piechota, S. Krukowski, W. Strupiński, J. M. Baranowski, R. Stępniewski. "Role of structure of C-terminated 4H-SiC(000_1_) surface in growth of graphene layers: Transmission electron microscopy and density functional theory studies". PhysicalReview B
  • J. Sołtys, J. Piechota, S. Krukowski. "Hydrogen intercalation of single and multiple layer graphene synthesized on Si-terminated SiC(0001) surface". Carbon
  • J. Borysiuk, J. Sołtys, J. Piechota. "Stacking sequence dependence of graphene layers on SiC (0001)—Experimental and theoretical investigation". J. Appl. Phys. 109, 093523 (2011)
  • Z. Romanowski. "B-spline solver for one-electron Schrodinger equation". Molecular Physics, 109, 2679-2691 (2011)
  • J. Borysiuk, J. Sołtys, R. Bożek,J. Piechota, S. Krukowski, W. Strupiński,J. M. Baranowski, R. Stępniewski. "Role of structure of C-terminated 4H-SiC(000-1) surface in growth of graphene layers: Transmission electron microscopy and density functional theory studies". Phys. Rev. B 85, 045426 (2012)
  • M. Birowska, K. Milowska, and J. A. Majewski „Van der WaalsDensityFunctionals for GrapheneLayers and Graphite”, Acta Physica Polonica A120, 845 (2011)
  • N. Gonzalez Szwacki and J. A. Majewski, „Monte Carlo vs. DensityFunctionalMethods for the Prediction of RelativeEnergies of Small Si-C Clusters”, Acta Physica Polonica A120, 964 (2011)
  • K. Milowska, M. Birowska, and J. A. Majewski, „Structural and ElectronicProperties of FunctionalizedGraphene”, Acta Physica Polonica A120, 842 (2011)
  • M. Wierzbowska and J. A. Majewski „Forces and atomicrelaxation in densityfunctionaltheory with the pseudopotentialself-interactioncorrection”, PhysicalReview B 84, 245129 (2011)
  • M. Lopuszynski and J. A. Majewski, „Compositionaldependence of elasticconstants in wurtziteAlGaInNalloys”, Journal of Applied Physics111, 033502 (2012)
  • K. Milowska, M. Birowska, and J. A. Majewski, „Mechanical and electricalproperties of carbonnanotubes and graphenelayersfunctionalized with amines”, Diamond and Related Materials23, 167 (2012)

Artykuły w materiałach konferencyjnych

  • M. Ptasińska, J. Piechota, J. Sołtys, S. Krukowski. "On the GaN crystal growth in the MOCVD method: a DFT study"
  • Prof. dr hab. PawełDłużewski, IPPT PAN, "Visual Editor of Crystal Defects: Reconstruction of atomistic models of dislocations with kinks in SiC"
  • Dr Mirosław Kozłowski, IF UJ, "Atomistyczne modelowanie wzrostu kryształów SiC"
  • Dr Zbigniew Romanowski, ICM UW, "Elektrostatyczne własności nanofilmów 4H-SiC pasywowanych wodorem w funkcji ich grubości"
  • Mgr inż. Maria Ptasińska, ICM UW, "Symulacja wzrostu kryształu GaN w metodzie MOCVD przy użyciu pakietu obliczeniowego VASP
  • J. Borysiuk, J. Sołtys, J. Piechota, S. Krukowski. "Experimental and theoretical investigation of graphene layers on SiC(0001) in different stacking arrangements"
  • M. Birowska, K. Milowska, and J. A. Majewski, “Van der Waals Density Functionals in Materials Science”, p. 48.
  • K. Milowska, M.Birowska, and J. A. Majewski, “Structural and electronicproperties of functionalized graphene”, p. 104.
  • N. Gonzalez Szwacki and J. A. Majewski, „Quantum Monte Carlo vs. DensityFunctionalMethods for the predictions of relativeenergies in small Si-C clusters”, p. 97.
  • K. Milowska, M.Birowska, and J. A. Majewski, “Mechanical and electricalproperties of carbonnanotubes and graphenelayersfunctionalized with amines”
  • N. Kedron, E. Wachowicz, A. Kiejna, and J. A. Majewski, “Interaction of Al, Ga, and N atoms with SiC (0001) surfaces”, p. 185
  • K. Milowska, M. Birowska, and J.A. Majewski, „Structural and ElectronicProperties of Functionalized Carbon Nanotubes and GrapheneLayers”, Europhysics Conference Abstracts35, 76
  • M. Birowska, K. Milowska, and J. A. Majewski, „Stability and electronicproperties of functionalizedcarbonnanotubes and graphenelayers”
  • K. Milowska, M. Birowska, and J. A. Majewski, „Ab initio Studies of ElasticProperties of Functionalized Carbon Nanotubes and GrapheneLayers”
  • J.A. Majewski, K. Milowska, M. Birowska, M. Woinska, „Stability and electronicstructure of the functionalizedgraphenelayers”
  • K. Milowska, M. Birowska, and J. A. Majewski, „Ab initio studies of mechanical, electric, and magneticproperties of functionalizedcarbonnanotubes”