Konferencje i publikacje - SicMat

Witamy na stronie projektu sicmat

Celem bezpośrednim proponowanego projektu jest opracowanie technologii wytwarzania monokrystalicznych podłoży z węglika krzemu (SiC) oraz technologii epitaksji cienkich warstw azotku galu (GaN) oraz grafenu na wspomnianych podłożach. Skutkiem opracowanych technologii będzie otrzymanie materiału stanowiącego bazę do wytwarzania urządzeń elektronicznych o lepszych i stabilniejszych właściwościach.

Osiągnięcie tak postawionego celu planuje się poprzez zastosowanie najnowszych technik projektowania z wykorzystaniem najwyższej klasy urządzeń do wytwarzania, charakteryzacji i modelowania materiałów półprzewodnikowych.

Instytucja wdrażająca

Nazwa:: Ośrodek Przetwarzania Informacji
Adres:: al. Niepodległości 188 b, 00-608 Warszawa
Telefon:: +48 22 570 14 00
Faks:: +48 22 825 33 19
E-mail:: opi@opi.org.pl
Numer KRS:: 0000127372, Sąd Rejonowy dla m. st. Warszawy w Warszawie
XII Wydział Gospodarczy KRS;
REGON:: 006746090
NIP:: 525-000-91-40

Uczestnicy projektu

Wnioskodawca

Nazwa:: Politechnika Warszawska
Adres:: 00-661 Warszawa,
Plac Politechniki 1
Telefon:: +48 22 234 74 24
Faks:: +48 22 234 71 40

Podmioty współpracujace

Nazwa:: Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Adres:: 01-919 Warszawa,
ul. Wółczyńska 133
Telefon:: +48 22 835 30 41
Faks:: +48 22 864 54 96

Nazwa:: Uniwersytet Warszawski
Adres:: 00-927 Warszawa,
ul. Krakowskie Przedmieście 26/28
Telefon:: +48 22 55 20 355
Faks:: +48 22 55 24 000

Kontakt

Kierownik projektu

Imię i nazwisko:: dr inż. Tomasz Wejrzanowski
Wydział Inżynierii Materiałowej
Adres:: ul. Wołoska 141, 02-507 Warszawa
pok. 309
Telefon:: +48 22 234 87 42
E-mail:: twejrzan@inmat.pw.edu.pl

Organizacja i administracja projektu

Imię i nazwisko:: mgr Sylwia Bałos
Telefon:: +48 22 234 87 46
E-mail:: sbalos@inmat.pw.edu.pl

Konferencje i publikacje

Konferencje

The Twenty-second Annual International Conference on Composites/Nano Engineering, Malta. 13.07 – 19.07, 2014
1. M. Grybczuk, M. Wasiluk, T. Wejrzanowski, K. J. Kurzydlowski. "Thermal conductivity of interfaces in graphene – metal composites."
Heat Transfer 2014 - 13th International Conference on Simulation and Experiments in Heat Transfer and its Applications, Coruna, Hiszpania. 2.07 – 4.07, 2014
1. T. Wejrzanowski, J. Skibiński " Modeling of heat and mass transfer in SiC CVD reactor as a tool for design of modern materials for high power electronics applications."
2. J. Skibiński, P. Caban, T. Wejrzanowski "Numerical simulations of heat and mass transfer in MOVPE process for obtaining high quality nitride based semiconductors."
43 rd “Jaszowiec" International School and Conference on the Physics of Semiconductors, Wisła, Polska. 7.06 – 12.06, 2014
1. A. Jamroz, J. A. Majewski. "Ordering in boron and nitrogen functionalized graphene layers."
2. P. Trędak, J. A. Majewski. "Chemisorption of hydrocarbons at the SiC surfaces - from ab-initio to classical molecular dynamics."
3. A. K. Skierkowski, J. A. Majewski. "Doping induced Rashba sping splitting in graphene and planar boron nitride"
4. M. Sadek, J. A. Majewski. "Ab initio studies of graphene and BN nano-ribbons."
5. M. Sznajder, M. Grabowski, J. A. Majewski. "On charging effects at SiC/nitrides Interfaces - ab initio studies."
6. N. Gonzalez Szwacki, J. A. Majewski. "2D B_xC_yN_z layers as predicted by the cluster-expansion approach."
E-MRS 2014 SPRING MEETING, Lille, Francja. 26.05 – 30.05, 2014
1. J. Nieścior, J. Skibiński, P. Caban, T. Wejrzanowski, K. J. Kurzydłowski " Modeling of heat and mass transfer in AlN MOVPE reactor as a tool for design of modern ceramic materials for high power electronic applications."
2. M. Grybczuk, T. Wejrzanowski, E. Tymicki, K. J. Kurzydłowski "Modeling of SiC crystal growth process in PVT reactor."
3. A. Skierkowski, M. Sadek, J. A. Majewski. "Doping induced Rashba spin splitting in graphene."
4. M. Sznajder, J. A. Majewski. "Charging effets on Heteropolar SiC/AlN and SiC/GaN Interfaces."
5th International Symposium on Growth of III-Nitrides, Atlanta, Georgia, USA. 18.05 – 22.05, 2014
1. J. Nieścior, E. Tymicki, T. Wejrzanowski, K.J. Kurzydłowski. "Application of digital image processing in characterization of defects in semiconductors."
ICCMSE 2014 – 10th International Conference of Computational Methods In Sciences and Engineering, Ateny, Grecja. 4.04 – 7.04, 2014
1. J. Skibiński, T. Wejrzanowski, P. Caban, W. Strupiński, K. J. Kurzydłowski. "Numerical Simulations of Epitaxial Growth Process In MOVPE Reactor As a Tool For Design of Modern Semiconductors For High Power Electronics."
2. T. Wejrzanowski, M. Grybczuk, E. Tymicki, K. J. Kurzydłowski. "Numerical Design of SiC Bulk Crystal Growth for Electronic Applications."
DPG-Spring-Meeting 2014, Dresden, Niemcy.30.03 – 4.04 2014
1. J.Sołtys, S.Krukowski, J.Borysiuk, J.Piechota. "An infuence of parallel electric field on the dispersion relation of graphene - a new route to Dirac logics"
2. J.Piechota, M.Ptasińska, J.Sołtys, S.Krukowski. "A density functional theory study of the structural and electronic properties of the GaN(0001) surface"
Winter Kindergarten of Theoretical Physics, Students’ conference in Karpacz, Polska.2.03 – 9.03 2014
1. M. Sadek. "Modeling of electronic structure of the graphene and boron nitride nanoribbons using ab initio methods"
E-MRS 2013 Fall Meeting, Warszawa, Polska. 16.09 – 20.09, 2013
1. M. Wierzbowska, A. Dominiak. "Thermoelectric properties of pure and doped graphene from DFT and MLWF based Boltzmann transport equation"
17. Międzynarodowa Konferencja na Temat Wzrostu Kryształów i Epitaksji - ICCGE-17. Warszawa, Polska 11.08 – 16.08, 2013
1. J. Skibiński, T. Wejrzanowski, P. Caban, W. Strupiński, K. J. Kurzydłowski. Modeling of heat and mass transfer in GaN MOVPE reactor.
2. T. Wejrzanowski, J. Dagiel, M. Grybczuk, J. Nieścior, E. Tymicki, K. J. Kurzydłowski. Modeling of growth kinetics of SiC single crystal in PVT process.
3. J.Sołtys, S.Krukowski, J.Borysiuk, J.Piechota. "An influence of parallel electric field on the dispersion relation of graphene – a new route to Dirac logics"
4. J.Sołtys, S.Krukowski, J.Piechota, J.Borysiuk. "Surface structure and diffusion of Si and C adatoms on bare SiC(0001) and SiC(0001) surfaces - density functional theory studies"
5. D. Teklinska, K. Grodecki, I. Jozwik-Biała, P. Caban, A. Olszyna, W. Strupinski. "The influence of pressure on growth of 3C-SiC heteroepitaxial layers on silicon substrates."
Krajowa Konferencja Elektroniki w Darłówku, Polska. 10.06 – 13.06, 2013
1. D.Teklińska, P.Caban, A.Olszyna, W.Strupiński. "Wpływ temperatury wzrostu na chropowatość powierzchni GaN/SiC"
2. D.Teklińska, A.Sidorowicz, A.Olszyna, W.Strupiński. "Analiza struktury defektowej warstw GaN osadzanych na różnych podłożach SiC"
3. P. Caban, J. Skibiński, D. Teklińska, T. Wejrzanowski, W. Strupiński. "Implementacja technologiczna symulacji numerycznych procesu MOVPE."
19th Interdisciplinary Surface Science Conference (ISSC-19), Nottingham, Wielka Brytania. 25.03 – 28.03, 2013
1. M.Ptasińska, J.Sołtys, J.Piechota, S.Krukowski. "A density functional theory study of the structural and electronic properties of the GaN(0001) surface"
European Materials Research Society 2012 Sympozjum, Warszawa, Polska. 17.09 – 21.09, 2012
1. M. Kozłowski, A. Biborski, R. Kozubski. Atomistic modelling of Si and C migration at (0001) sufrace of SiC crystal.
Reaction Kinetics in Condensed Media (RKCM 2012), Łochów, Polska. 11.09 – 16.09, 2012
1. M.Ptasińska, J.Sołtys, J.Piechota, S.Krukowski. "A density functional theory study of the GaN crystal growth in the MOCVD method"
9-ta Europejska Konferencja o Węgliku Krzemu i Powiązanych Materiałach (ECSCRM), Saint-Petersburg, Rosja. 2.09 – 6.09, 2012
1. T. Wejrzanowski, J. Dagiel, M. Grybczuk, J. Nieścior, E. Tymicki, K. J. Kurzydłowski. Growth of SiC single crystal under various PVT process conditions
2. J. Skibiński, T. Wejrzanowski, D. Teklińska, K. Kościewicz, K. J. Kurzydłowski. Influence of hydrogen mass flow rate on the flow parameters and crystal growth area in SiC CVD reactor
3. D. Teklinska, I. Jozwik-biala, E. Tymicki, K. Racka, W. Strupinski, A. Olszyna. "COMPREHENSIVE STUDY OF THE IMPACT OF GROWTH CONDITIONS ON VOIDS FORMATION AND SURFACE MORPHOLOGY OF A 3C-SIC/SI BUFFER LAYER."
Konferencja o mechanice obliczeniowej i stosowanej w Południowej Afryce (SACAM), Johannesburg, RPA. 3.09 – 5.09, 2012
1. T. Wejrzanowski, J. Dagiel, M. Grybczuk, J. Nieścior, E. Tymicki, K. J. Kurzydłowski. Modeling of SiC single crystal growth in PVT reactor
9th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (9th ISSLED 2012), Berlin, Niemcy. 22.07 – 27.07, 2012
1. J.Borysiuk, J.Sołtys, J.Piechota, S.Krukowski. “Experimental and theoretical investigation of graphene layers on SiC(0001) in different stacking arrangements”
2. M.Ptasińska, J.Sołtys, J.Piechota, S.Krukowski. "A density functional theory study of the structural and electronic properties of the GaN(0001) surface"
XI Krajowa Konferencja Elektroniki w Darłówku, Polska. 2012
1. D. Teklińska, W.Strupiński, A.Olszyna. "Analiza Morfologii Warstwy Buforowej 3C-SiC/Si w Zależności od Stosowanego Ciśnienia."
41st "Jaszowiec" 2012 International School and Conference on the Physics of Semiconductors, Krynica-Zdrój, Polska. 8.07 – 15.07, 2012
1. M. Wierzbowska, A. Dominiak, K. Tokar and J. Majewski. "Role of argon in graphene epitaxy by chemical vapor deposition on 4H-SiC(0001) surface: DFT Calculations"
XII Seminarium Powierzchnia i Struktury Cienkowarstwowe SemPiSC , Szklarska Poręba Średnia , Polska. 9.05 – 12.05, 2012
1. D.Teklińska, I. Jóźwik-Biała, K. Kościewicz, P. Caban, W.Strupiński, A.Olszyna. "Analiza morfologii powierzchni podłoży 4H-SiC,6H-SiC ORAZ 3C-SiC/Si."
DPG-Spring-Meeting 2012 Berlin, Niemcy. 25.03 - 30.03, 2012
1. M. Ptasińska, J. Piechota, J. Sołtys, S. Krukowski. "On the GaN crystal growth in the MOCVD method: a DFT study"
2. P. Dłużewski. "Visual Editor of Crystal Defects: Reconstruction of atomistic models of dislocations with kinks in SiC"
3. M. Kozłowski. "Atomistyczne modelowanie wzrostu kryształów SiC"
4. Z. Romanowski. "Elektrostatyczne własności nanofilmów 4H-SiC pasywowanych wodorem w funkcji ich grubości"
5. M. Ptasińska. "Symulacja wzrostu kryształu GaN w metodzie MOCVD przy użyciu pakietu obliczeniowego VASP"
APS March Meeting 2012, Boston, USA. 27.02 – 2.03, 2012
1. K. Milowska, M. Birowska, M. Woinska, J. A. Majewski. Stability and electronic structure of the functionalized graphene layers.
2. K. Milowska, M. Birowska, J. A. Majewski. Ab initio studies of mechanical and electrical properties of functionalized carbon nanotubes.
ECI Conference on Carbon-Based Nano-Materials and Devices, Suzhou, China. 16.10 – 21.10, 2011
1. K. Milowska, M. Birowska, J. A. Majewski. Ab initio studies of mechanical and electrical properties of functionalized carbon nanotubes.
2. M. Birowska, K. Milowska, J. A. Majewski. Stability and electronic structure of functionalized carbon nanotubes and graphene layers.
Międzynarodowa Konferencja Węglika Krzemu w Cleveland (ICSCRM), USA. 11.09 – 16.09, 2011
1. E. Tymicki, K. Grasza, K. Racka, T. Łukasiewicz, M. Piersa, K. Kościewicz, D. Teklińska, R. Diduszko, P. Skupiński, R. Jakieła, J. Krupka. Effect of Nitrogen Doping on the Growth of 4H Polytype on the 6H-SiC Seed by PVT Method.
2. K. Kosciewicz, P. Typa, M. Rudzinski, I. Pasternak, W. Strupinski "BPD free 4H-SiC epilayers for transistors and Schottky diodes."
X Krajowa Konferencja Elektroniki w Darłówku, Polska. 05.06 - 09.06, 2011
1. E. Tymicki, K. Racka, K. Grasza, T. Łukasiewicz, M. Gała, K. Kościewicz, R. Jakieła, R. Diduszko, J. Krupka. Wpływ domieszkowania azotem na właściwości strukturalne i elektryczne kryształów SiC otrzymywanych metodą PVT
2. P. Caban, W. Strupinski, J. Szmidt. "Epitaksja GaN/SiC metod MOVPE - zastosowanie w tranzystorach typu HEMT."
3. K. Kościewicz, W. Strupinski, M. Tokarczyk, G. Kowalski, A. Olszyna. "Jednorodne politypowo warstwy homoepitaksjalne 4H-SiC na podłożach o różnej dezorientacji."
4. D. Teklińska, A. Rojek, W. Strupiński, A. Olszyna. "Analiza Selektywnego Wzrostu Warstw Homoepitaksjalnych 4H-SiC Na Podłożu 8° Off-Axis."
Microscopy of Semiconducting Materials 2011: 17th National Conf. (MSM XVII) Churchill College, University of Cambridge, Cambridge, UK. 04.04 - 07.04, 2011
1. J. Borysiuk, J. Sołtys, J. Piechota, S. Krukowski. "Experimental and theoretical investigation of graphene layers on SiC(0001) in different stacking arrangements"
Sesja Sprawozdawcza Warszawskiego Centrum KDM w Będlewie, Polska. 23.03 - 26.03, 2011
1. M. Ptasińska, J. Piechota, J. Sołtys, S. Krukowski. "On the GaN crystal growth in the MOCVD method: a DFT study"
Polsko-Niemiecka Konferencja na temat wzrostu kryształów (GPCCG) Frankfurt, Niemcy. 14.03 - 18.03, 2011
40th “Jaszowiec” 2011 International School and Conference on the Physics of Semiconductors, Krynica-Zdroj, Poland
1. M. Birowska, K. Milowska, and J. A. Majewski. “Van der Waals Density Functionals in Materials Science”, p. 48.
2. K. Milowska, M.Birowska, and J. A. Majewski. “Structural and electronic properties of functionalized graphene”, p. 104.
3. N. Gonzalez Szwacki and J. A. Majewski. „Quantum Monte Carlo vs. Density Functional Methods for the predictions of relative energies in small Si-C clusters”, p. 97.
22nd EuropeanConf. On Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides – Diamond2011, Garmisch-Partenkirchen (FRG), Germany. 4.09 - 8.09, 2011
1. K. Milowska, M.Birowska, and J. A. Majewski. “Mechanical and electrical properties of carbon nanotubes and graphene layers functionalized with amines”
28th European Conference on Surface Physics, Wroclaw, Poland. 28.08 – 2.09, 2011.
1. N. Kedron, E. Wachowicz, A. Kiejna, and J. A. Majewski. “Interaction of Al, Ga, and N atoms with SiC (0001) surfaces”, p. 185
Workshop on the Biomolecules and Nanostructures – Bedlewo 3, Bedlewo, Poland. 4.09 - 8.09, 2011
1. K. Milowska, M. Birowska, and J.A. Majewski. „Structural and ElectronicProperties of Functionalized Carbon Nanotubes and GrapheneLayers”, Europhysics Conference Abstracts35, 76
ECI conference on Carbon-Based Nano-Materials and Devices, Suzhou, China. 16.10 - 21.10, 2011
1. M. Birowska, K. Milowska, and J. A. Majewski. „Stability and electronic properties of functionalized carbon nanotubes and graphene layers”
2. K. Milowska, M. Birowska, and J. A. Majewski. „Ab initio Studies of Elastic Properties of Functionalized Carbon Nanotubes and GrapheneLayers”

Artykuły w czasopismach

M. Wierzbowska, A. Dominiak, G. Pizzi. Effect of C-face 4H-SiC(0001) deposition on thermopower of single and multilayer graphene in AA, AB and ABC stacking. 2D Materials 1 (2014) 035002 DOI:10.1088/2053-1583/1/3/035002
M. Wierzbowska, A. Dominiak. Spin-dependent Seebeck effect and huge growth of thermoelectric parameters at band edges in H- and F-doped graphene, free-standing and deposited on 4H-SiC(0001) C-face. CARBON 80 (2014) 255–267 DOI: 10.1016/j.carbon.2014.08.064
S.Krukowski, J.Sołtys, J.Piechota, J.Borysiuk. Nanopipes creation mechanisms in silicon carbide - density functional study. wysłane do J.Cryst. Growth (2014)
J.Sołtys, J.Piechota, M.Ptasińska, S.Krukowski. Hydrogen intercalation of single and multiple layer graphene synthesized on Si-terminated SiC(0001) surface. wysłane do J.Appl.Phys (2014)
S.Krukowski, J.Soltys, J.Borysiuk, J.Piechota. Influence of a parallel electric field on the dispersion relation of graphene - a new route to Dirac logics. zaakceptowane przez J.Cryst. Growth Ms. Ref. No.: CRYS-D-13-01155 (2013).
J.Borysiuk, J.Sołtys, J.Piechota, S.Krukowski, J.M.Baranowski, R.Stępniewski. Structural defects in epitaxial graphene layers synthesized on C-terminated 4H-SiC (0001) surface - transmission electron microscopy and density functional theory studies. J.Appl.Phys. 115, 054310 (2014).
M. Wierzbowska, A. Dominiak, K. Tokar. CVD formation of graphene on SiC surface in argon atmosphere. Phys. Chem. Chem. Phys., 2013,15, 8805-8810
K. Z. Milowska, M. Woińska, M. Wierzbowska. Contrasting Elastic Properties of Heavily B- and N-doped Graphene with Random Impurity Distributions Including Aggregates. J. Phys. Chem. C, 2013, 117 (39), pp 20229–20235
E. Wachowicz, A. Kiejna. Structure and energetics changes during hydrogenation of 4H-SiC surfaces: a DFT study. J. Phys.: Condens. Matter 24 (2012) 385801.
J. Sołtys, J. Borysiuk, J. Piechota, S. Krukowski. "Experimental and theoretical investigation of graphene layers on SiC(0001) in different stacking arrangements". Journal of Vacuum Science and Technology B
J. Borysiuk, J. Sołtys, R. Bożek, J. Piechota, S. Krukowski, W. Strupiński, J. M. Baranowski, R. Stępniewski. "Role of structure of C-terminated 4H-SiC(000_1_) surface in growth of graphene layers: Transmission electron microscopy and density functional theory studies". PhysicalReview B
J. Sołtys, J. Piechota, S. Krukowski. "Hydrogen intercalation of single and multiple layer graphene synthesized on Si-terminated SiC(0001) surface". Carbon
J. Borysiuk, J. Sołtys, J. Piechota. "Stacking sequence dependence of graphene layers on SiC (0001)—Experimental and theoretical investigation". J. Appl. Phys. 109, 093523 (2011)
Z. Romanowski. "B-spline solver for one-electron Schrodinger equation". Molecular Physics, 109, 2679-2691 (2011)
J. Borysiuk, J. Sołtys, R. Bożek,J. Piechota, S. Krukowski, W. Strupiński,J. M. Baranowski, R. Stępniewski. "Role of structure of C-terminated 4H-SiC(000-1) surface in growth of graphene layers: Transmission electron microscopy and density functional theory studies". Phys. Rev. B 85, 045426 (2012)
M. Birowska, K. Milowska, and J. A. Majewski „Van der WaalsDensityFunctionals for GrapheneLayers and Graphite”, Acta Physica Polonica A120, 845 (2011)
N. Gonzalez Szwacki and J. A. Majewski, „Monte Carlo vs. DensityFunctionalMethods for the Prediction of RelativeEnergies of Small Si-C Clusters”, Acta Physica Polonica A120, 964 (2011)
K. Milowska, M. Birowska, and J. A. Majewski, „Structural and ElectronicProperties of FunctionalizedGraphene”, Acta Physica Polonica A120, 842 (2011)
M. Wierzbowska and J. A. Majewski „Forces and atomicrelaxation in densityfunctionaltheory with the pseudopotentialself-interactioncorrection”, PhysicalReview B 84, 245129 (2011)
M. Lopuszynski and J. A. Majewski, „Compositionaldependence of elasticconstants in wurtziteAlGaInNalloys”, Journal of Applied Physics111, 033502 (2012)
K. Milowska, M. Birowska, and J. A. Majewski, „Mechanical and electricalproperties of carbonnanotubes and graphenelayersfunctionalized with amines”, Diamond and Related Materials23, 167 (2012)

Artykuły w materiałach konferencyjnych

M. Ptasińska, J. Piechota, J. Sołtys, S. Krukowski. "On the GaN crystal growth in the MOCVD method: a DFT study"
Prof. dr hab. PawełDłużewski, IPPT PAN, "Visual Editor of Crystal Defects: Reconstruction of atomistic models of dislocations with kinks in SiC"
Dr Mirosław Kozłowski, IF UJ, "Atomistyczne modelowanie wzrostu kryształów SiC"
Dr Zbigniew Romanowski, ICM UW, "Elektrostatyczne własności nanofilmów 4H-SiC pasywowanych wodorem w funkcji ich grubości"
Mgr inż. Maria Ptasińska, ICM UW, "Symulacja wzrostu kryształu GaN w metodzie MOCVD przy użyciu pakietu obliczeniowego VASP
J. Borysiuk, J. Sołtys, J. Piechota, S. Krukowski. "Experimental and theoretical investigation of graphene layers on SiC(0001) in different stacking arrangements"
M. Birowska, K. Milowska, and J. A. Majewski, “Van der Waals Density Functionals in Materials Science”, p. 48.
K. Milowska, M.Birowska, and J. A. Majewski, “Structural and electronicproperties of functionalized graphene”, p. 104.
N. Gonzalez Szwacki and J. A. Majewski, „Quantum Monte Carlo vs. DensityFunctionalMethods for the predictions of relativeenergies in small Si-C clusters”, p. 97.
K. Milowska, M.Birowska, and J. A. Majewski, “Mechanical and electricalproperties of carbonnanotubes and graphenelayersfunctionalized with amines”
N. Kedron, E. Wachowicz, A. Kiejna, and J. A. Majewski, “Interaction of Al, Ga, and N atoms with SiC (0001) surfaces”, p. 185
K. Milowska, M. Birowska, and J.A. Majewski, „Structural and ElectronicProperties of Functionalized Carbon Nanotubes and GrapheneLayers”, Europhysics Conference Abstracts35, 76
M. Birowska, K. Milowska, and J. A. Majewski, „Stability and electronicproperties of functionalizedcarbonnanotubes and graphenelayers”
K. Milowska, M. Birowska, and J. A. Majewski, „Ab initio Studies of ElasticProperties of Functionalized Carbon Nanotubes and GrapheneLayers”
J.A. Majewski, K. Milowska, M. Birowska, M. Woinska, „Stability and electronicstructure of the functionalizedgraphenelayers”
K. Milowska, M. Birowska, and J. A. Majewski, „Ab initio studies of mechanical, electric, and magneticproperties of functionalizedcarbonnanotubes”