plen

Witamy na stronie projektu sicmat

Celem bezpośrednim proponowanego projektu jest opracowanie technologii wytwarzania monokrystalicznych podłoży z węglika krzemu (SiC) oraz technologii epitaksji cienkich warstw azotku galu (GaN) oraz grafenu na wspomnianych podłożach. Skutkiem opracowanych technologii będzie otrzymanie materiału stanowiącego bazę do wytwarzania urządzeń elektronicznych o lepszych i stabilniejszych właściwościach.

Osiągnięcie tak postawionego celu planuje się poprzez zastosowanie najnowszych technik projektowania z wykorzystaniem najwyższej klasy urządzeń do wytwarzania, charakteryzacji i modelowania materiałów półprzewodnikowych.

Instytucja wdrażająca

Nazwa:
Ośrodek Przetwarzania Informacji
Adres:
al. Niepodległości 188 b, 00-608 Warszawa
Telefon:
+48 22 570 14 00
Faks:
+48 22 825 33 19
E-mail:
opi@opi.org.pl
Numer KRS:
0000127372, Sąd Rejonowy dla m. st. Warszawy w Warszawie
XII Wydział Gospodarczy KRS;
REGON:
006746090
NIP:
525-000-91-40

Uczestnicy projektu

Wnioskodawca

Nazwa:
Politechnika Warszawska
Adres:
00-661 Warszawa,
Plac Politechniki 1
Telefon:
+48 22 234 74 24
Faks:
+48 22 234 71 40

Podmioty współpracujace

Nazwa:
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Adres:
01-919 Warszawa,
ul. Wółczyńska 133
Telefon:
+48 22 835 30 41
Faks:
+48 22 864 54 96
Nazwa:
Uniwersytet Warszawski
Adres:
00-927 Warszawa,
ul. Krakowskie Przedmieście 26/28
Telefon:
+48 22 55 20 355
Faks:
+48 22 55 24 000

Kontakt

Kierownik projektu

Imię i nazwisko:
dr inż. Tomasz Wejrzanowski
Wydział Inżynierii Materiałowej
Adres:
ul. Wołoska 141, 02-507 Warszawa
pok. 309
Telefon:
+48 22 234 87 42
E-mail:
twejrzan@inmat.pw.edu.pl

Organizacja i administracja projektu

Imię i nazwisko:
mgr Sylwia Bałos
Telefon:
+48 22 234 87 46
E-mail:
sbalos@inmat.pw.edu.pl

Media

Projektor Jagielloński

Informator o projektach naukowych w których bierze udział Uniwersytet Jagielloński w Krakowie. Informacja o projekcie SICMAT na stronie 24

Grafen na SiC

Poniżej zebrano odnośniki do znajdujących się w Internecie artykułów i materiałów, mówiących o grafenie i wykorzystaniu węglika krzemu jako podłoża do jego produkcji.

Artykuły naukowe

Poniżej zebrano listę wybranych artykułów naukowych i materiałów konferencyjnych zawierających informacje na temat wytwarzania i właściwości grafenu na podłożu węglika krzemu.

  • Włodzimierz Strupiński, Kacper Grodecki, Andrzej Wysmołek, Roman Stępniewski, T. Szkopek, P. E. Gaskell, A. Grouneis, D. Haberer, Rafał Bożek, J. Krupka, Jacek Baranowski. Graphene Epitaxy by Chemical Vapor Deposition on SiC. NANO LETTERS Tom 11 Nr 4 r. 2011, str. 1786-1791
  • Aneta Drabińska, Kacper Grodecki, Włodzimierz Strupiński, Rafał Bożek, Krzysztof Korona, Andrzej Wysmołek, Roman Stępniewski, Jacek Baranowski. Growth kinetics of epitaxial graphene on SiC substrates. PHYSICAL REVIEW B Tom 81 Nr 24 r. 2010, str. 245410-245413
  • Kacper Grodecki, Aneta Drabińska, Rafał Bożek, Andrzej Wysmołek, Krzysztof Korona, Włodzimierz Strupiński, Jolanta Borysiuk, Roman Stępniewski, Jacek Baranowski. Optical Absorption and Raman Scattering Studies of Few-Layer Epitaxial Graphene Grown on 4H-SiC Substrates. ACTA PHYSICA POLONICA A Tom 116 Nr 5 r. 2009, str. 835-837
  • Aneta Drabińska, Jolanta Borysiuk, Włodzimierz Strupiński, Jacek Baranowski. Optical Transmission of Epitaxial Graphene Layers on SiC in the Visible Spectral Range. MATERIALS SCIENCE FORUM Tom 645-648 r. 2010, str. 615-618
  • Kacper Grodecki, Rafał Bożek, Jolanta Borysiuk, Włodzimierz Strupiński, Andrzej Wysmołek, Roman Stępniewski, Jacek Baranowski. Raman Studies of Defects in Graphene Grown on SiC. ACTA PHYSICA POLONICA A Tom 119 Nr 5 r. 2011, str. 595-596
  • Jolanta Borysiuk, Rafał Bożek, Kacper Grodecki, Andrzej Wysmołek, Włodzimierz Strupiński, Roman Stępniewski, Jacek Baranowski. Transmission electron microscopy investigations of epitaxial graphene on C-terminated 4H-SIC. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Tom 108 r. 2010, str. 013518 / 1-6